Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
| Parent link: | Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 4.— 2013.— [6 с.] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй - имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=19008577 http://jre.cplire.ru/koi/apr13/7/text.pdf |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639014 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 639014 | ||
| 005 | 20250212113302.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\3411 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3401 | ||
| 090 | |a 639014 | ||
| 100 | |a 20150218d2013 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами |f А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 5 назв.] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй - имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. | ||
| 330 | |a Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Журнал радиоэлектроники |o электронный журнал |f Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ) |d 1998- | ||
| 463 | |t № 4 |v [6 с.] |d 2013 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a радиационная стойкость | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a heterostructures AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a radiation hardness | |
| 610 | 1 | |a light-emitting diodes | |
| 700 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 |9 10707 | |
| 701 | 1 | |a Орлова |b К. Н. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1985- |g Ксения Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28212 |9 13166 | |
| 701 | 1 | |a Асанов |b И. А. |g Иван Александрович | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра естественного научного образования (ЕНО) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18894 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150507 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=19008577 | |
| 856 | 4 | |u http://jre.cplire.ru/koi/apr13/7/text.pdf | |
| 942 | |c CF | ||