Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP

Podrobná bibliografie
Parent link:Приволжский научный вестник: научно-практический журнал.— , 2011-
№ 10 (14).— 2012.— [С. 17-19]
Hlavní autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Korporace: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Shrnutí:Заглавие с экрана
В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна.
In this given work we researched the modern methods of increasing the light output power of LEDs based on quaternary heterostructures AlGaInP. The main investigations include replacing the main substrate, varying the concentration of the elements included in the active region, the growth of distributed Bragg reflectors in devices, increasing the thickness of light output window.
Jazyk:ruština
Vydáno: 2012
Témata:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
светодиоды
гетероструктуры
LEDs
heterostructures
AlGaInP
On-line přístup:http://icnp.ru/sites/default/files/PNV/PNV_14.pdf#page=17
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=638995

Podobné jednotky

Podobné jednotky