Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)

書誌詳細
Parent link:	Приволжский научный вестник: научно-практический журнал.— , 2011- № 10 (14).— 2012.— [С. 17-19]
第一著者:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
共著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
要約:	Заглавие с экрана В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна. In this given work we researched the modern methods of increasing the light output power of LEDs based on quaternary heterostructures AlGaInP. The main investigations include replacing the main substrate, varying the concentration of the elements included in the active region, the growth of distributed Bragg reflectors in devices, increasing the thickness of light output window.
言語:	ロシア語
出版事項:	2012
主題:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиоды гетероструктуры LEDs heterostructures AlGaInP
オンライン･アクセス:	http://icnp.ru/sites/default/files/PNV/PNV_14.pdf#page=17
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=638995

類似資料

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2014)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2019)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2019)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
著者:: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
出版事項: (2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
出版事項: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2014)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
著者:: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
出版事項: (2014)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2011)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
出版事項: (2019)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
出版事項: (2016)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2016)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire; Russian Physics Journal; Vol. 65, iss. 11
著者:: Li Zixuan
出版事項: (2023)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (Томск, 2013)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
著者:: Жамалдинов Ф. Ф.
出版事項: (2022)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (Томск, 2013)

Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2019)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
著者:: Цзысюань Ли
出版事項: (2023)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2018)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2016)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
著者:: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
出版事項: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
出版事項: (Томск, 2012)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
著者:: Симонова А. В.
出版事項: (2018)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
出版事項: (2024)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
出版事項: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Рубанов П. В. Павел Владимирович
出版事項: (Томск, 2012)

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
著者:: Ли Цзысюань
出版事項: (2022)

Исследование двухключевого обратноходового преобразователя в источниках питания для осветительных светодиодов; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 324, № 4 : Техника и технологии в энергетике
著者:: Гинтинг Р. Рутта
出版事項: (2014)