Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
| Parent link: | Приволжский научный вестник: научно-практический журнал.— , 2011- № 10 (14).— 2012.— [С. 17-19] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Corporate Authors: | , |
| Resumo: | Заглавие с экрана В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна. In this given work we researched the modern methods of increasing the light output power of LEDs based on quaternary heterostructures AlGaInP. The main investigations include replacing the main substrate, varying the concentration of the elements included in the active region, the growth of distributed Bragg reflectors in devices, increasing the thickness of light output window. |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
2012
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://icnp.ru/sites/default/files/PNV/PNV_14.pdf#page=17 |
| Formato: | Recurso Electrónico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=638995 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 638995 | ||
| 005 | 20250212111618.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\3392 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3385 | ||
| 090 | |a 638995 | ||
| 100 | |a 20150218d2012 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP |d Methods of increasing the output power leds based on heterostructures AlGaInP |f К. Н. Орлова | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 19 (6 назв.)] | ||
| 330 | |a В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна. | ||
| 330 | |a In this given work we researched the modern methods of increasing the light output power of LEDs based on quaternary heterostructures AlGaInP. The main investigations include replacing the main substrate, varying the concentration of the elements included in the active region, the growth of distributed Bragg reflectors in devices, increasing the thickness of light output window. | ||
| 461 | |t Приволжский научный вестник |o научно-практический журнал |d 2011- | ||
| 463 | |t № 10 (14) |v [С. 17-19] |d 2012 | ||
| 510 | 1 | |a Methods of increasing the output power leds based on heterostructures AlGaInP |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a LEDs | |
| 610 | 1 | |a heterostructures | |
| 610 | 1 | |a AlGaInP | |
| 700 | 1 | |a Орлова |b К. Н. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1985- |g Ксения Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28212 |9 13166 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра естественного научного образования (ЕНО) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18894 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150507 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://icnp.ru/sites/default/files/PNV/PNV_14.pdf#page=17 | |
| 942 | |c CF | ||