Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Journal of Physics: Conference Series Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia.— 2014.— [012003, 5 p.]
Altri autori:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich
Riassunto:	Title screen Electrophysical and photoelectric properties of thin GaAs films deposited on polysilicon by pulse ion ablation using high-power ion beams have been investigated. The predominant charge carriers transfer mechanism in films and the type of dark and photoconductivity have been established. A vacuum annealing effect (10-2Pa, 300–1000 K) on energetic and kinetic characteristics of dark and photoconductivity, the transfer mechanism andthe type of charge carriers have been determined. The most probable causes of changes in the film electric and photoelectric characteristics have been discussed. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	2014
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ арсенид галлия пленки поликристаллический кремний абляция
Accesso online:	http://iopscience.iop.org/1742-6596/552/1/012003
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637936

Documenti analoghi

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2012)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
di: Long Stephen I
Pubblicazione: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Pubblicazione: (2014)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2009)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Pubblicazione: (2009)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Pubblicazione: (2011)

Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation; EFRE-2014: 12th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows
Pubblicazione: (2014)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
di: Yudelevich I. G.
Pubblicazione: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019)
di: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Pubblicazione: (2021)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
di: Ayzenshtat G. I.
Pubblicazione: (2017)

Features of silicon-containing coatings deposition from ablation plasma formed by a powerful ion beam; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552 : International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Pubblicazione: (2014)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
di: Александрова О. А.
Pubblicazione: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
di: Толбанов О. П.
Pubblicazione: (2003)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
di: Сараева В. Е.
Pubblicazione: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2018)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1980)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

The distinctive features of plastic deformation localization in polycrystalline aluminum by creep; AIP Conference Proceedings; Vol. 1623 : International Conference on Physical Mesomechanics of Multilevel Systems 2014, Tomsk, Russia, 3–5 September 2014
Pubblicazione: (2014)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, 2000)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Максимова Н. К.
Pubblicazione: (Томск, 1972)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2003)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2011)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Pubblicazione: (2007)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2000)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
di: Прокопьев Д. Г.
Pubblicazione: (2011)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (2005)