Диффузия в кристаллическом теле в условиях нагружения; Известия вузов. Физика; Т. 53, № 11(3)

Диффузия в кристаллическом теле в условиях нагружения; Известия вузов. Физика; Т. 53, № 11(3)

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 53, № 11(3).— 2010.— [С. 54-57]
Main Author: Миколайчук М. А. Михаил Александрович
Other Authors: Князева А. Г. Анна Георгиевна
Summary:Заглавие с экрана
Сформулирована модель процесса перераспределения примеси между двумя материалами под воздействием одноосного механического нагружения. Задача о механическом равновесии образца решена аналитически. Полученная в результате нелинейная сопряженная задача диффузии в пластине, находящейся в условиях плоского напряженного состояния, решена численно. Проанализировано поведение системы Si(Ge), так как зачастую подобные условия нагружения реализуются в растущих тонких полупроводниковых пленках (~100 нм). Сделанные выводы о влиянии сжимающей внешней нагрузки и толщины покрытия на диффузионные процессы согласуются с экспериментальными данными.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2010
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
диффузия
имплантация ионов
аналитические решения
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=16343726
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637668

Similar Items

Similar Items