Диффузия в кристаллическом теле в условиях нагружения
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 53, № 11(3).— 2010.— [С. 54-57] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Сформулирована модель процесса перераспределения примеси между двумя материалами под воздействием одноосного механического нагружения. Задача о механическом равновесии образца решена аналитически. Полученная в результате нелинейная сопряженная задача диффузии в пластине, находящейся в условиях плоского напряженного состояния, решена численно. Проанализировано поведение системы Si(Ge), так как зачастую подобные условия нагружения реализуются в растущих тонких полупроводниковых пленках (~100 нм). Сделанные выводы о влиянии сжимающей внешней нагрузки и толщины покрытия на диффузионные процессы согласуются с экспериментальными данными. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=16343726 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637668 |