Диффузия в кристаллическом теле в условиях нагружения; Известия вузов. Физика; Т. 53, № 11(3)
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 53, № 11(3).— 2010.— [С. 54-57] |
|---|---|
| Hovedforfatter: | |
| Andre forfattere: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Сформулирована модель процесса перераспределения примеси между двумя материалами под воздействием одноосного механического нагружения. Задача о механическом равновесии образца решена аналитически. Полученная в результате нелинейная сопряженная задача диффузии в пластине, находящейся в условиях плоского напряженного состояния, решена численно. Проанализировано поведение системы Si(Ge), так как зачастую подобные условия нагружения реализуются в растущих тонких полупроводниковых пленках (~100 нм). Сделанные выводы о влиянии сжимающей внешней нагрузки и толщины покрытия на диффузионные процессы согласуются с экспериментальными данными. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2010
|
| Fag: | |
| Online adgang: | http://elibrary.ru/item.asp?id=16343726 |
| Format: | MixedMaterials Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637668 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 637668 | ||
| 005 | 20250122141000.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\1830 | ||
| 090 | |a 637668 | ||
| 100 | |a 20141008d2010 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Диффузия в кристаллическом теле в условиях нагружения |f М. А. Миколайчук, А. Г. Князева | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 57 (10 назв.)] | ||
| 330 | |a Сформулирована модель процесса перераспределения примеси между двумя материалами под воздействием одноосного механического нагружения. Задача о механическом равновесии образца решена аналитически. Полученная в результате нелинейная сопряженная задача диффузии в пластине, находящейся в условиях плоского напряженного состояния, решена численно. Проанализировано поведение системы Si(Ge), так как зачастую подобные условия нагружения реализуются в растущих тонких полупроводниковых пленках (~100 нм). Сделанные выводы о влиянии сжимающей внешней нагрузки и толщины покрытия на диффузионные процессы согласуются с экспериментальными данными. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 53, № 11(3) |v [С. 54-57] |d 2010 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a диффузия | |
| 610 | 1 | |a имплантация ионов | |
| 610 | 1 | |a аналитические решения | |
| 700 | 1 | |a Миколайчук |b М. А. |c физик |c ассистент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1985- |g Михаил Александрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32755 | |
| 701 | 1 | |a Князева |b А. Г. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1962- |g Анна Георгиевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25578 |9 11508 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150420 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=16343726 | |
| 942 | |c CF | ||