Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии, отчет о НИР/НИОКР
| Other Authors: | , , , , , |
|---|---|
| Summary: | Заглавие с титульного листа Установлено влияние температуры облучения на концентрацию, заселенность, зарядовое состояние радиационных дефектов в пиролитическом нитриде бора. В рамках модели непрерывно распределенных по энергии в запрещенной зоне локализованных состояний доноров и акцепторов определены качественно положение уровня Ферми, вклады в проводимость прыжковых компонент переноса и активационной составляющих n- и р-типа. Прослежена трансформация параметров биографических и радиационных дефектов при постимплантационной термообработке, определена относительная термическая стабильность дефектов донорного и акцепторного типов. Облучение ионами при высокой температуре уступает традиционной имплантации по снижению величины сопротивления, однако формирует более стабильные комплексы акцепторных дефектов и позволяет варьировать тип носителей заряда. Синхронные исследования характеристик электролюминесценции, проводимости, фотопроводимости позволили детализовать непрерывное распределение уровней в запрещенной зоне модифицированного нитрида бора. Модель экспериментально определенной структуры запрещенной зоны согласована с параметрами теоретически рассчитанных зонных спектров бездефектного кристалла. Определено влияние электронных переходов между локальными узкими уровнями радиационных и биографических дефектов и зонами, а также переходов внутри оптической подзоны на свойства. Определен вклад в электроперенос рекомбинации квазисвободных носителей заряда с дефектами. Influence of the temperature by irradiation on the concentration, population and charge state of the induced defects in pyrolytic boron nitride are established. Fermi level position in the band gap was determined in frame of model of the continuously distributed localized state of the donors and of the acceptors. Contributions of hopping and of activation components with n- or p-type of conductivity were determined. Transformation of induced and biographycal defects after the postimplantation thermal treatment was descript. Thermal stability of the donor and acceptor defects was determined. Ions irradiation by the high temperature is inferior in respect to value of conductivity compare with cool temperature, however it forms more stable acceptor defects complexes and allows to vary type of the charge carrier. Synchronous investigations of characteristic of the electroluminescence and conductivity and photoconductivity were allowed us to suggest detail scheme levels of the modified boron nitride band gap. This model coincided with parameters of the theoretically calculated band spectra of the single BN crystal. Influence of electronic transition between local levels of the induced and biographycal defects and bands on properties change was determined. Also influence transition within optical subband on properties was marked out. Contribution of the quasy free carriers recombination with defects on transport was determined too. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
Томск, 1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=230991 |
| Format: | Electronic Book |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637560 |