Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Библиографические подробности
Источник:	ФВЗЧК-2012.— 2012.— [С. 163]
Главный автор:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Корпоративные авторы:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Другие авторы:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Примечания:	Заглавие с экрана
Язык:	русский
Опубликовано:	2012
Предметы:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электрофизические свойства фотоэлектрические свойства пленки GaAs абляция
Online-ссылка:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Схожие документы

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2011)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
по: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Опубликовано: (2016)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Опубликовано: (2014)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Опубликовано: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Опубликовано: (2007)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Опубликовано: (1998)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
по: Синягина М. А.
Опубликовано: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубликовано: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2011)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Опубликовано: (Томск, 2023)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Спирина А. А. Анна Александровна
Опубликовано: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Опубликовано: (2003)

Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гавриленко Е. А.
Опубликовано: (2018)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
по: Ayzenshtat G. I.
Опубликовано: (2017)

Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гончарова Д. А.
Опубликовано: (2018)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2009)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Опубликовано: (2010)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубликовано: (2009)

Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Федорович Ж. П.
Опубликовано: (2022)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)

Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гончарова Д. А.
Опубликовано: (2017)

Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Юнакова С. В.
Опубликовано: (2018)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Опубликовано: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
по: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубликовано: (Новосибирск, 2025)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубликовано: (2011)

Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы; Взаимодействие излучений с твердым телом
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
по: Шашурин В. Д.
Опубликовано: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
по: Чижевич Л. А.
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1974)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
по: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Опубликовано: (2015)

Исследование оптических свойств нанопорошков высокодефектного диоксида титана; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Палатова А. В.
Опубликовано: (2018)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)