Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Bibliografiset tiedot
Parent link:ФВЗЧК-2012.— 2012.— [С. 163]
Päätekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Yhteisötekijät: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Muut tekijät: Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Yhteenveto:Заглавие с экрана
Kieli:venäjä
Julkaistu: 2012
Aiheet:
Linkit:http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Samankaltaisia teoksia