Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией

Opis bibliograficzny
Parent link:	ФВЗЧК-2012: тезисы докладов ХLII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 29 мая - 31 мая 2012 г./ Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ) ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ). [С. 163].— , 2012
1. autor:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
organizacja autorów:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Kolejni autorzy:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Streszczenie:	Заглавие с экрана
Wydane:	2012
Hasła przedmiotowe:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электрофизические свойства фотоэлектрические свойства пленки GaAs абляция
Dostęp online:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Format:	Elektroniczne Rozdział
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Podobne zapisy

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2010)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2011)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Wydane: (1998)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
od: Нишизава Дж.-И.
Wydane: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
od: Синягина М. А.
Wydane: (2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Wydane: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Wydane: (2007)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
od: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Wydane: (2016)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Wydane: (2014)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Wydane: (2011)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Wydane: (Томск, 2023)

Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2013)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Спирина А. А. Анна Александровна
Wydane: (Новосибирск, 2023)

Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией
od: Гавриленко Е. А.
Wydane: (2018)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Wydane: (2003)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией
Wydane: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Wydane: (2011)

Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде
od: Гончарова Д. А.
Wydane: (2018)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
od: Ayzenshtat G. I.
Wydane: (2017)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Wydane: (2009)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Wydane: (2010)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Wydane: (2009)

Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией
od: Федорович Ж. П.
Wydane: (2022)

Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости
od: Гончарова Д. А.
Wydane: (2017)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2014)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
od: Чижевич Л. А.
Wydane: (Томск, [Б. и.], 1974)

Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси
od: Юнакова С. В.
Wydane: (2018)

Фотоэлектрические явления в полупроводниках тезисы докладов республиканской конференции, Ужгород, ноябрь 1979 г.
Wydane: (Киев, Наукова думка, 1979)

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Цымбалов А. В. Александр Вячеславович
Wydane: (Томск, 2025)

Влияние структуры на электрофизические свойства сверхпроводящих YBaCuO-плёнок
od: Ибраев Н. Х.
Wydane: (2011)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Wydane: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Wydane: (Новосибирск, 2025)

Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx) Se,GaSe1-x(Sx,Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
od: Саркисов С. Ю. Сергей Юрьевич
Wydane: (Томск, 2010)

Фотоэлектрические явления пер. с англ.
od: Юз А. Л. Артур Ллевелин
Wydane: (Ленинград, ОНТИ, 1936)

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках учебное пособие
od: Роках А. Г. Александр Григорьевич
Wydane: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1984)

Влияние параметров MOCVD-осаждения на структуру, электрофизические и магнитные свойства тонких пленок Co
od: Хайруллин Р. Р. Рустам Равильевич
Wydane: (2012)

Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
Wydane: (2008)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов [сборник]
Wydane: (Кишинев, Штиинца, 1980)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
od: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Wydane: (2015)