Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
| Parent link: | ФВЗЧК-2012.— 2012.— [С. 163] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| সংস্থা লেখক: | , , |
| অন্যান্য লেখক: | , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187 |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
অনুযায়ী: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
প্রকাশিত: (2016)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
অনুযায়ী: Нишизава Дж.-И.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Нишизава Дж.-И.
প্রকাশিত: (2003)
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
প্রকাশিত: (2003)
প্রকাশিত: (2003)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
প্রকাশিত: (2007)
প্রকাশিত: (2007)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
প্রকাশিত: (2014)
প্রকাশিত: (2014)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
প্রকাশিত: (1998)
প্রকাশিত: (1998)
Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
অনুযায়ী: Синягина М. А.
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Синягина М. А.
প্রকাশিত: (2013)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
প্রকাশিত: (Томск, 2023)
অনুযায়ী: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
প্রকাশিত: (Томск, 2023)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Спирина А. А. Анна Александровна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2023)
অনুযায়ী: Спирина А. А. Анна Александровна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2023)
Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
প্রকাশিত: (2003)
প্রকাশিত: (2003)
Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Гавриленко Е. А.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Гавриленко Е. А.
প্রকাশিত: (2018)
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
অনুযায়ী: Ayzenshtat G. I.
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Ayzenshtat G. I.
প্রকাশিত: (2017)
Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
প্রকাশিত: (2010)
প্রকাশিত: (2010)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
প্রকাশিত: (2009)
প্রকাশিত: (2009)
Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Гончарова Д. А.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Гончарова Д. А.
প্রকাশিত: (2018)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
প্রকাশিত: (2009)
প্রকাশিত: (2009)
Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Федорович Ж. П.
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Федорович Ж. П.
প্রকাশিত: (2022)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2014)
Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Гончарова Д. А.
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Гончарова Д. А.
প্রকাশিত: (2017)
Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Юнакова С. В.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Юнакова С. В.
প্রকাশিত: (2018)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
অনুযায়ী: Шашурин В. Д.
প্রকাশিত: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
অনুযায়ী: Шашурин В. Д.
প্রকাশিত: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы; Взаимодействие излучений с твердым телом
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
অনুযায়ী: Чижевич Л. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1974)
অনুযায়ী: Чижевич Л. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1974)
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2016)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
অনুযায়ী: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
প্রকাশিত: (2015)
Исследование оптических свойств нанопорошков высокодефектного диоксида титана; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Палатова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Палатова А. В.
প্রকাশিত: (2018)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Конструкционные свойства пластмасс (Физико-химические основы применения): перевод с английского
প্রকাশিত: (Москва, Химия, 1967)
প্রকাশিত: (Москва, Химия, 1967)