Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией

Bibliographic Details
Parent link:	ФВЗЧК-2012: тезисы докладов ХLII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 29 мая - 31 мая 2012 г./ Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ) ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ). [С. 163].— , 2012
Main Author:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Other Authors:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Summary:	Заглавие с экрана
Published:	2012
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электрофизические свойства фотоэлектрические свойства пленки GaAs абляция
Online Access:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Internet

http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187