Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Bibliographic Details
Parent link:ФВЗЧК-2012.— 2012.— [С. 163]
Main Author: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Other Authors: Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Summary:Заглавие с экрана
Language:Russian
Published: 2012
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
электрофизические свойства
фотоэлектрические свойства
пленки
GaAs
абляция
Online Access:http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Internet

http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187

Similar Items