Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012

Dettagli Bibliografici
Parent link:	ФВЗЧК-2012.— 2012.— [С. 163]
Autore principale:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Enti autori:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Altri autori:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Riassunto:	Заглавие с экрана
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2012
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электрофизические свойства фотоэлектрические свойства пленки GaAs абляция
Accesso online:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637381

Accesso online

http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187