Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, & Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. (2012). Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, و Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012, 2012.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Кабышев А. В. Александр Васильевич, et al. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012, 2012.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.