Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, & Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. (2012). Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012.
Չիկագոյի ոճի (17րդ խմբ.) մեջբերումКабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, and Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012, 2012.
MLA (9րդ խմբ.) ՄեջբերումКабышев А. В. Александр Васильевич, et al. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012. 2012, 2012.
Զգուշացում. այս մեջբերումները միշտ չէ, որ կարող են 100% ճշգրիտ լինել.