The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation

Bibliografske podrobnosti
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 55, № 12-2.— 2012.— [С. 128-132]
Glavni avtor:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Drugi avtorji:	Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Izvleček:	Title screen Optical, electrophysical and photoelectrical properties of arsenide gallium thin films deposited on the polycrystalline silicon by pulsed ions ablation with using of power ions bunch were investigated. The influence of the vacuum annealing at temperature 300-900 K and residual pressure 10 -2 Pa on the films characteristics of the surface and volume dark conduction and photoconduction was established. The optimal deposition and thermal vacuum treatment conditions at which the films properties changes are more stable to thermal and field excitation were determined. The deposited films don't subject on the characteristics to films produced by the other pulsed and epitaxy methods and surpass the films deposited on dielectrics. The analysis of properties confirms a presence in the films as soon as crystal and the amorphous components. The predominant factor in the films properties forming is a defects formation, a defects clusterization and a change in the distribution of the nanocrystals. A films deposited in the center of plasma flame possesses an optimal properties. The silicon substrate effect reflects on films characteristics until and after their annealing. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:	angleščina
Izdano:	2012
Teme:	электронный ресурс труды учёных ТПУ арсенид галлия кремний светочувствительность радиационные дефекты отжиг
Online dostop:	http://elibrary.ru/item.asp?id=20133326
Format:	Elektronski Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637364

Podobne knjige/članki

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Izdano: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
od: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Izdano: (2014)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon
od: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Izdano: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Izdano: (2009)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
od: Long Stephen I
Izdano: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
od: Ардышев М. В.
Izdano: (2004)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2012)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия
od: Чернявский А. В. Александр Викторович
Izdano: (2011)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation
od: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Izdano: (2021)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
od: Пешев В. В. Владимир Викторович
Izdano: (2005)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
od: Ayzenshtat G. I.
Izdano: (2017)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией
Izdano: (2011)

Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation
Izdano: (2014)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors [offprint]
od: Yudelevich I. G.
Izdano: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Izdano: (2011)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
od: Потапов А. И. Александр Иванович
Izdano: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
od: Потапов А. И. Александр Иванович
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1999)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
Izdano: (2013)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Спирина А. А. Анна Александровна
Izdano: (Новосибирск, 2023)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
od: Толбанов О. П.
Izdano: (2003)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Izdano: (Киев, Наукова думка, 1981)

Т. 16
Izdano: (1984)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
od: Сараева В. Е.
Izdano: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
od: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Izdano: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Izdano: (2014)

Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
od: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Izdano: (Москва, Металлургия, 1977)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Izdano: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Izdano: (2009)

Т. 11
Izdano: (1979)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Izdano: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Izdano: (Москва, Мир, 1980)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
od: Толбанов О. П. Олег Петрович
Izdano: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
od: Ардышев М. В.
Izdano: (2002)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Izdano: (2011)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Izdano: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
od: Карлова Г. Ф.
Izdano: (2011)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
od: Пешев В. В.
Izdano: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
od: Толбанов О. П. Олег Петрович
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
od: Максимова Н. К.
Izdano: (Томск, 1972)