Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2

Détails bibliographiques
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 55, № 6-2.— 2012.— [С. 32-36]
Auteur principal:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Collectivités auteurs:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Autres auteurs:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Résumé:	Заглавие с экрана Исследованы оптические, электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-900 К) на характеристики поверхностной и объемной темновой и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термовакуумной обработки пленок, при которой достигаются изменения свойств, наиболее устойчивые к термическому и полевому возбуждению. Установлены вероятные причины изменения электрических и фотоэлектрических характеристик пленок. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Langue:	russe
Publié:	2012
Sujets:	электронный ресурс труды учёных ТПУ кремний арсенид галлия фотопроводимость вакуумный отжиг фоточувствительность
Accès en ligne:	http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357
Format:	Électronique Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637363

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357