Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке

Detalhes bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 55, № 6-2.— 2012.— [С. 32-36]
Autor principal: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Outros Autores: Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Resumo:Заглавие с экрана
Исследованы оптические, электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-900 К) на характеристики поверхностной и объемной темновой и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термовакуумной обработки пленок, при которой достигаются изменения свойств, наиболее устойчивые к термическому и полевому возбуждению. Установлены вероятные причины изменения электрических и фотоэлектрических характеристик пленок.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:russo
Publicado em: 2012
Assuntos:
Acesso em linha:http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357
Formato: Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637363