Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине: сборник тезисов докладов XI Международной научно-практической конференции, г. Томск, 07–09 сентября 2022 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Инженерная школа ядерных технологий ; ред. кол. А. Г. Горюнов, О. Ю. Долматов, А. О. Семенов, Е. С. Сухих. [С. 15-16].— , 2022
Nhiều tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение ядерно-топливного цикла, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Tác giả khác:	Apsezhanova A. K., Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Skakov М. К., Zhamaldinov F. F., Serikbayev D.
Tóm tắt:	Заглавие с экрана
Được phát hành:	2022
Loạt:	Ядерные установки, перспективные ядерные топливные циклы и технологии
Những chủ đề:	труды учёных ТПУ электронный ресурс стойкость светодиоды облучение быстрые нейтроны
Truy cập trực tuyến:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/74515
Định dạng:	Điện tử Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=635412

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/74515