Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника

Dades bibliogràfiques
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 108-110]
Autor principal: Томашевич А. А.
Altres autors: Аржаков С. Л. (научный руководитель), Слепцов К. К., Еханин С. Г.
Sumari:Заглавие с экрана
This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out.
Idioma:rus
Publicat: 2017
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625707

Ítems similars