Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия

Bibliographic Details
Parent link:	Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 108-110]
Main Author:	Томашевич А. А.
Other Authors:	Аржаков С. Л. (727), Слепцов К. К., Еханин С. Г.
Summary:	Заглавие с экрана This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out.
Published:	2017
Subjects:	электронные ресурсы полупроводниковые структуры электромиграционные методы водород электроды деформации
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625707

Internet