Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника

Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 108-110]
Yazar: Томашевич А. А.
Diğer Yazarlar: Аржаков С. Л. (научный руководитель), Слепцов К. К., Еханин С. Г.
Özet:Заглавие с экрана
This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out.
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2017
Konular:
электронные ресурсы
полупроводниковые структуры
электромиграционные методы
водород
электроды
деформации
Online Erişim:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625707

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346

Benzer Materyaller