Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 108-110] |
|---|---|
| 主要作者: | |
| 其他作者: | , , |
| 總結: | Заглавие с экрана This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. |
| 語言: | 俄语 |
| 出版: |
2017
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 |
| 格式: | 電子 Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625707 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 625707 | ||
| 005 | 20260901094544.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\24967 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\24965 | ||
| 090 | |a 625707 | ||
| 100 | |a 20171218d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия |d Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures |f А. А. Томашевич, С. Л. Аржаков, К. К. Слепцов |g науч. рук. С. Г. Еханин | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 110 (8 назв.)] | ||
| 330 | |a This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21398 |t Т. 7 : IT-технологии и электроника |v [С. 108-110] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронные ресурсы | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые структуры | |
| 610 | 1 | |a электромиграционные методы | |
| 610 | 1 | |a водород | |
| 610 | 1 | |a электроды | |
| 610 | 1 | |a деформации | |
| 700 | 1 | |a Томашевич |b А. А. | |
| 701 | 1 | |a Аржаков |b С. Л. | |
| 701 | 1 | |a Слепцов |b К. К. | |
| 702 | 1 | |a Еханин |b С. Г. |4 727 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20171220 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 | |
| 942 | |c CF | ||