Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника

Podrobná bibliografie
Parent link:	Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 7 : IT-технологии и электроника.— 2017.— [С. 108-110]
Hlavní autor:	Томашевич А. А.
Další autoři:	Аржаков С. Л. (научный руководитель), Слепцов К. К., Еханин С. Г.
Shrnutí:	Заглавие с экрана This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2017
Témata:	электронные ресурсы полупроводниковые структуры электромиграционные методы водород электроды деформации
On-line přístup:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625707

Popis
Shrnutí:	Заглавие с экрана This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out.

Podobné jednotky