Influence of chamber atmosphere pressure on the product of Si-C plasmodynamic synthesis

Influence of chamber atmosphere pressure on the product of Si-C plasmodynamic synthesis

Bibliographic Details
Parent link:	Интеллектуальные энергосистемы: труды V Международного молодёжного форума, 9-13 октября 2017 г., г. Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Энергетический институт (ЭНИН).— , 2017 Т. 2.— 2017.— [С. 212-215]
Main Author:	Nassyrbayev (Nasyrbaev) A. Artur
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Other Authors:	Nikitin D. S. Dmitry Sergeevich (727), Shanenkov I. I. Ivan Igorevich, Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich
Summary:	Заглавие с титульного экрана
Published:	2017
Series:	Перспективы развития интеллектуальных систем в электроснабжении
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ атмосферное давление плазмодинамический синтез карбид кремния керамика композиты спекание
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45275
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625603

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45275