Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
| Parent link: | Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153] |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | , |
| Ամփոփում: | Заглавие с титульного экрана |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2017
|
| Շարք: | Оптические технологии |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399 |
Նմանատիպ նյութեր
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Հրապարակվել է: (2013)
Հրապարակվել է: (2013)
Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
: Сычева А. В.
Հրապարակվել է: (2016)
: Сычева А. В.
Հրապարակվել է: (2016)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2013)
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2013)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, 2017)
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, 2017)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Հրապարակվել է: (2012)
: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Հրապարակվել է: (2012)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, 2018)
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, 2018)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
: Васенев А. С.
Հրապարակվել է: (2012)
: Васенев А. С.
Հրապարակվել է: (2012)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2015)
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2015)
The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Հրապարակվել է: (2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2017)
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2018)
: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2018)
Исследование стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений CaN и InGaN; Приборы и техника эксперимента; № 4
: Вятчин Е. Э.
Հրապարակվել է: (2004)
: Вятчин Е. Э.
Հրապարակվել է: (2004)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2013)
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)
Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Հրապարակվել է: (2003)
Հրապարակվել է: (2003)
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
: Ермаков О. Н. Олег Николаевич
Հրապարակվել է: (Москва, Радио и связь, 1990)
: Ермаков О. Н. Олег Николаевич
Հրապարակվել է: (Москва, Радио и связь, 1990)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Հրապարակվել է: (2012)
: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Հրապարակվել է: (2012)
Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
: Менькович Е. А.
Հրապարակվել է: (2012)
: Менькович Е. А.
Հրապարակվել է: (2012)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Հրապարակվել է: (2015)
: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Հրապարակվել է: (2015)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Հրապարակվել է: (2017)
Հրապարակվել է: (2017)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
: Грушко Н. С.
Հրապարակվել է: (2004)
: Грушко Н. С.
Հրապարակվել է: (2004)
Особенности применения оптронов в режиме малых токов
: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Հրապարակվել է: (Москва, Энергия, 1979)
: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Հրապարակվել է: (Москва, Энергия, 1979)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2011)
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2011)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Հրապարակվել է: (2015)
Հրապարակվել է: (2015)
Оптоэлектроника: пер. с фр.
: Розеншер Э.
Հրապարակվել է: (Москва, Техносфера, 2004)
: Розеншер Э.
Հրապարակվել է: (Москва, Техносфера, 2004)
Оптоэлектроника: пер. с фр.
: Розеншер Э.
Հրապարակվել է: (Москва, Техносфера, 2006)
: Розеншер Э.
Հրապարակվել է: (Москва, Техносфера, 2006)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2015)
: Олешко В. И. Владимир Иванович
Հրապարակվել է: (2015)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Հրապարակվել է: (2022)
Հրապարակվել է: (2022)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
: Narita, Tetsuo
Հրապարակվել է: (2020)
: Narita, Tetsuo
Հրապարակվել է: (2020)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, 2001)
: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, 2001)
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2001)
: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2001)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
: Цзысюань Ли
Հրապարակվել է: (2023)
: Цзысюань Ли
Հրապարակվել է: (2023)
Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
: Караваев Г. Ф.
Հրապարակվել է: (2003)
: Караваев Г. Ф.
Հրապարակվել է: (2003)