Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)

Podrobná bibliografie
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
Hlavní autor:	Ли Цзысюань
Korporativní autor:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Další autoři:	Сысоева С. Г. (научный руководитель), Олешко В. И. Владимир Иванович
Shrnutí:	Заглавие с титульного экрана
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2017
Edice:	Оптические технологии
Témata:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
On-line přístup:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Médium:	MixedMaterials Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Podobné jednotky

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
Autor: Сычева А. В.
Vydáno: (2016)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Vydáno: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2017)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Autor: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Vydáno: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2018)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Vydáno: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)

Исследование стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений CaN и InGaN; Приборы и техника эксперимента; № 4
Autor: Вятчин Е. Э.
Vydáno: (2004)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Vydáno: (2003)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
Autor: Ермаков О. Н. Олег Николаевич
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1990)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
Autor: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Vydáno: (2012)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Менькович Е. А.
Vydáno: (2012)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Autor: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Vydáno: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Vydáno: (2017)

Оптоэлектроника: пер. с фр.
Autor: Розеншер Э.
Vydáno: (Москва, Техносфера, 2004)

Оптоэлектроника: пер. с фр.
Autor: Розеншер Э.
Vydáno: (Москва, Техносфера, 2006)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)

Особенности применения оптронов в режиме малых токов
Autor: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Vydáno: (Москва, Энергия, 1979)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Autor: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Vydáno: (2015)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Vydáno: (2022)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
Autor: Narita, Tetsuo
Vydáno: (2020)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
Autor: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Vydáno: (Томск, 2001)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Autor: Цзысюань Ли
Vydáno: (2023)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
Autor: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2001)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Autor: Караваев Г. Ф.
Vydáno: (2003)