Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
Autore principale:	Ли Цзысюань
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altri autori:	Сысоева С. Г. (научный руководитель), Олешко В. И. Владимир Иванович
Riassunto:	Заглавие с титульного экрана
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2017
Serie:	Оптические технологии
Soggetti:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
Accesso online:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Accesso online