Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
1. Verfasser:	Ли Цзысюань
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Weitere Verfasser:	Сысоева С. Г. (727), Олешко В. И. Владимир Иванович
Zusammenfassung:	Заглавие с титульного экрана
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Оптические технологии
Schlagworte:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
Online-Zugang:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Online