Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)

Bibliografiset tiedot
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
Päätekijä:	Ли Цзысюань
Yhteisötekijä:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Muut tekijät:	Сысоева С. Г. (научный руководитель), Олешко В. И. Владимир Иванович
Yhteenveto:	Заглавие с титульного экрана
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	2017
Sarja:	Оптические технологии
Aiheet:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
Linkit:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Internet