Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Bibliographic Details
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017): сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. А. Н. Яковлева. [С. 152-153].— , 2017
Main Author:	Ли Цзысюань
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Сысоева С. Г. (727), Олешко В. И. Владимир Иванович
Summary:	Заглавие с титульного экрана
Published:	2017
Series:	Оптические технологии
Subjects:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520