Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

書誌詳細
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
第一著者:	Ли Цзысюань
団体著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
その他の著者:	Сысоева С. Г. (727), Олешко В. И. Владимир Иванович
要約:	Заглавие с титульного экрана
言語:	ロシア語
出版事項:	2017
シリーズ:	Оптические технологии
主題:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
オンライン･アクセス:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

その他の書誌記述
要約:	Заглавие с титульного экрана

類似資料