Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)

Detaylı Bibliyografya
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017).— 2017.— [С. 152-153]
Yazar:	Ли Цзысюань
Müşterek Yazar:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Diğer Yazarlar:	Сысоева С. Г. (научный руководитель), Олешко В. И. Владимир Иванович
Özet:	Заглавие с титульного экрана
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	2017
Seri Bilgileri:	Оптические технологии
Konular:	электронные ресурсы труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры оптические свойства оптоэлектроника кристаллическая решетка светоизлучающие структуры
Online Erişim:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520
Materyal Türü:	Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=625399

Diğer Bilgiler
Özet:	Заглавие с титульного экрана

Benzer Materyaller