Ли Цзысюань, Сысоева С. Г., & Олешко В. И. Владимир Иванович. (2017). Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017). 2017.
Chicago Style (17th ed.) CitationЛи Цзысюань, Сысоева С. Г., and Олешко В. И. Владимир Иванович. Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017). 2017, 2017.
MLA (9th ed.) CitationЛи Цзысюань, et al. Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017). 2017, 2017.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.