Нанесение покрытия zrticu на заэвтектический силумин (20-22 вес.% Si) ионно-плазменным методом; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Podrobná bibliografie
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 306-308]
Hlavní autor: Рыгина М. Е.
Korporativní autor: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ) Центр технологий (ЦТ)
Další autoři: Петрикова Е. А. (научный руководитель), Шугуров В. В. Владимир Викторович, Иванов Ю. Ф. Юрий Федорович
Shrnutí:Заглавие с экрана
In this article hyptreutectic silumin has been studied. The content of silicon is 20-22 wt.%. TiZrCu has been repositioned on this alloy. His thickness is 1 micron. Deposition performed by “TRIO”( Institute of High Current Electrons of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences). In this article the structures before and after modification are shown. Microhardness grows more than 2 times, Nanohardness more than 5 times. Scanning microscopy shows that content of Ti, Zr, Cu are near 1%.
Jazyk:ruština
Vydáno: 2017
Témata:
On-line přístup:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41468
Médium: MixedMaterials Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622695

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 622695
005 20231101133226.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\21497 
035 |a RU\TPU\conf\21496 
090 |a 622695 
100 |a 20170704d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus  |d eng 
102 |a RU 
105 |a y z 100zy 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Нанесение покрытия zrticu на заэвтектический силумин (20-22 вес.% Si) ионно-плазменным методом  |d Coating deposition tizrcu on hyperuetectic silumin by ion-plasma method  |f М. Е. Рыгина, Е. А. Петрикова, В. В. Шугуров  |g науч. рук. Ю. Ф. Иванов 
203 |a Текст  |c электронный 
230 |a 1 компьютерный файл (pdf; 2165 Kb) 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 308 (3 назв.)] 
330 |a In this article hyptreutectic silumin has been studied. The content of silicon is 20-22 wt.%. TiZrCu has been repositioned on this alloy. His thickness is 1 micron. Deposition performed by “TRIO”( Institute of High Current Electrons of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences). In this article the structures before and after modification are shown. Microhardness grows more than 2 times, Nanohardness more than 5 times. Scanning microscopy shows that content of Ti, Zr, Cu are near 1%. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of Fundamental Sciences Development  |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г.  |o в 7 т.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой  |d 2017 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389  |t Т. 1 : Физика  |v [С. 306-308]  |d 2017 
510 1 |a Coating deposition tizrcu on hyperuetectic silumin by ion-plasma method  |z eng 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a заэвтектический силумин 
610 1 |a кремний 
610 1 |a интерметаллиды 
610 1 |a ионно-плазменная обработка 
610 1 |a изучение 
700 1 |a Рыгина  |b М. Е. 
701 1 |a Петрикова  |b Е. А. 
701 1 |a Шугуров  |b В. В.  |c физик  |c научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1981-  |g Владимир Викторович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37385 
702 1 |a Иванов  |b Ю. Ф.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1955-  |g Юрий Федорович  |2 stltpush  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |b Центр технологий (ЦТ)  |h 408  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\20620 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170718  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41468 
942 |c BK