Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 141-143] |
|---|---|
| मुख्य लेखक: | |
| निगमित लेखकों: | , |
| अन्य लेखक: | , , |
| सारांश: | Заглавие с экрана The carbon (C) and titanium (Ti) ions were implanted onto the surface of the silicon (Si), and the thin films of aluminum nitride (AlN) were prepared on Si(100) substrate by magnetron sputtering after the implantations. The compositions of these thin film systems were studied by optical microscopy and Raman spectroscopy, and the surface conductivity of those samples were measured. It was indicated that the implanted C and Ti ions did have made a difference to the electro physical properties of the systems AlN/Si. |
| भाषा: | रूसी |
| प्रकाशित: |
2017
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436 |
| स्वरूप: | इलेक्ट्रोनिक पुस्तक अध्याय |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622666 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 622666 | ||
| 005 | 20260803094950.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\21468 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\21467 | ||
| 090 | |a 622666 | ||
| 100 | |a 20170703d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии |d Influence of the carbon and the titanium sublayers on the eletrophysical preporties of the thin film system ALN/SI |f Инь Шаньшань, С. К. Павлов, Ван Цайлунь |g науч. рук. Н. Н. Никитенков | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 330 | |a The carbon (C) and titanium (Ti) ions were implanted onto the surface of the silicon (Si), and the thin films of aluminum nitride (AlN) were prepared on Si(100) substrate by magnetron sputtering after the implantations. The compositions of these thin film systems were studied by optical microscopy and Raman spectroscopy, and the surface conductivity of those samples were measured. It was indicated that the implanted C and Ti ions did have made a difference to the electro physical properties of the systems AlN/Si. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389 |t Т. 1 : Физика |v [С. 141-143] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a Influence of the carbon and the titanium sublayers on the eletrophysical preporties of the thin film system ALN/SI |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a водород | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a нитриды | |
| 610 | 1 | |a детектирование | |
| 610 | 1 | |a ультрафиолетовое излучение | |
| 700 | 0 | |a Инь Шаньшань | |
| 701 | 1 | |a Павлов |b С. К. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1990- |g Сергей Константинович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32608 | |
| 701 | 0 | |a Ван Цайлунь | |
| 702 | 1 | |a Никитенков |b Н. Н. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1953- |g Николай Николаевич |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Лаборатория № 1 |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Физико-технический институт (ФТИ) |b Кафедра общей физики (ОФ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170718 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436 | |
| 942 | |c CF | ||