Определение оптимальной компоновки активной зоны реактора ИРТ-Т для достижения эффективного облучения слитков кремния большого диаметра

Определение оптимальной компоновки активной зоны реактора ИРТ-Т для достижения эффективного облучения слитков кремния большого диаметра

Détails bibliographiques
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017
Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 102-104]
Auteur principal: Дмитриев С. К.
Collectivité auteur: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ)
Autres auteurs: Лебедев И. И. Иван Игоревич (727), Аникин М. Н. Михаил Николаевич, Наймушин А. Г. Артем Георгиевич
Résumé:Заглавие с экрана
In this paper, we examined the main trends in world demand for semiconductor materials. Taking into account the considered trends, at the initial stage a model of a new experimental irradiation volume was constructed, which will allow to obtain ingots of a semiconductor material up to 200 mm in size with high doping accuracy. The next step was to determine the regularities of the FA location in the core, in order to obtain the conditions for the maximum effective flow of NTD in the new experimental channel. In addition, an assessment was made of the influence of regulatory authorities on the course of NTD.
Publié: 2017
Sujets:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
радиационная обработка
легирование
кремний
силовая электроника
ИРТ-Т
Accès en ligne:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41427
Format: Électronique Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622657

Documents similaires

Documents similaires