Определение оптимальной компоновки активной зоны реактора ИРТ-Т для достижения эффективного облучения слитков кремния большого диаметра; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2017 Т. 1 : Физика.— 2017.— [С. 102-104] |
|---|---|
| Автор: | |
| Співавтор: | |
| Інші автори: | , , |
| Резюме: | Заглавие с экрана In this paper, we examined the main trends in world demand for semiconductor materials. Taking into account the considered trends, at the initial stage a model of a new experimental irradiation volume was constructed, which will allow to obtain ingots of a semiconductor material up to 200 mm in size with high doping accuracy. The next step was to determine the regularities of the FA location in the core, in order to obtain the conditions for the maximum effective flow of NTD in the new experimental channel. In addition, an assessment was made of the influence of regulatory authorities on the course of NTD. |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41427 |
| Формат: | Електронний ресурс Частина з книги |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=622657 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 622657 | ||
| 005 | 20260803093427.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\21452 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\21451 | ||
| 090 | |a 622657 | ||
| 100 | |a 20170630d2017 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Определение оптимальной компоновки активной зоны реактора ИРТ-Т для достижения эффективного облучения слитков кремния большого диаметра |d Determination of the optimal configuration of the IRT-T core to achieve effective doping of large diameter silicon ingots |f С. К. Дмитриев, И. И. Лебедев, М. Н. Аникин |g науч. рук. А. Г. Наймушин | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 104 (3 назв.)] | ||
| 330 | |a In this paper, we examined the main trends in world demand for semiconductor materials. Taking into account the considered trends, at the initial stage a model of a new experimental irradiation volume was constructed, which will allow to obtain ingots of a semiconductor material up to 200 mm in size with high doping accuracy. The next step was to determine the regularities of the FA location in the core, in order to obtain the conditions for the maximum effective flow of NTD in the new experimental channel. In addition, an assessment was made of the influence of regulatory authorities on the course of NTD. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21388 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2017 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\21389 |t Т. 1 : Физика |v [С. 102-104] |d 2017 | |
| 510 | 1 | |a Determination of the optimal configuration of the IRT-T core to achieve effective doping of large diameter silicon ingots |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a радиационная обработка | |
| 610 | 1 | |a легирование | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 610 | 1 | |a силовая электроника | |
| 610 | 1 | |a ИРТ-Т | |
| 700 | 1 | |a Дмитриев |b С. К. | |
| 701 | 1 | |a Лебедев |b И. И. |c специалист в области энергетики |c инженер Томского политехнического университета |f 1990- |g Иван Игоревич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32502 | |
| 701 | 1 | |a Аникин |b М. Н. |c специалист в области ядерных технологий |c начальник службы Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1991- |g Михаил Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32503 |9 16449 | |
| 702 | 1 | |a Наймушин |b А. Г. |c специалист в области ядерных технологий |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1986- |g Артем Георгиевич |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Физико-технический институт (ФТИ) |b Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18730 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170718 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41427 | |
| 942 | |c CF | ||