Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016).— 2016.— [С. 220]
Autor Principal:	Бактыбаев А. А.
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Outros autores:	Туранов С. Б. Сергей Борисович (научный руководитель), Прудаев И. А.
Summary:	Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
Idioma:	ruso
Publicado:	2016
Series:	Оптические технологии
Subjects:	труды учёных ТПУ электронные ресурсы гетероструктуры квантовые ямы светодиодные структуры электролюминесценция электрические поля
Acceso en liña:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
Formato:	Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806

Títulos similares

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2014)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicado: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado: (2012)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
por: Серов А. Ю.
Publicado: (2004)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
por: Васько Ф. Т.
Publicado: (2003)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
por: Горбацевич А. А.
Publicado: (2003)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicado: (Томск, 2012)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
por: Грушко Н. С.
Publicado: (2004)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
por: Ли Цзысюань
Publicado: (2018)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
por: Филато Д. О.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
por: Цзысюань Ли
Publicado: (2023)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
por: Козубова М. А.
Publicado: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Publicado: (2004)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Модернизация светодиодных ламп ленточного типа; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
por: Постолова Е. О.
Publicado: (2016)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
por: Курочка С. П.
Publicado: (Москва, МИСИС, 2015)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2011)

Физика низкоразмерных структур учебное пособие
por: Морозов В. Г.
Publicado: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicado: (2013)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
por: Сычева А. В.
Publicado: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2017)

Исследование люминофоров для светодиодных излучающих элементов ленточного типа; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
Publicado: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2018)

Привлечение энергоэффективных мер в решении вопроса освещения спортивного бассейна; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
por: Антропова А. И.
Publicado: (2016)