Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
| Parent link: | Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016): сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. А. Н. Яковлева. [С. 220].— , 2016 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции. |
| Published: |
2016
|
| Series: | Оптические технологии |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806 |