Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников

Détails bibliographiques
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016).— 2016.— [С. 220]
Auteur principal:	Бактыбаев А. А.
Collectivité auteur:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Autres auteurs:	Туранов С. Б. Сергей Борисович (727), Прудаев И. А.
Résumé:	Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
Langue:	russe
Publié:	2016
Collection:	Оптические технологии
Sujets:	труды учёных ТПУ электронные ресурсы гетероструктуры квантовые ямы светодиодные структуры электролюминесценция электрические поля
Accès en ligne:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
Format:	Électronique Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486