Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)

書誌詳細
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016).— 2016.— [С. 220]
第一著者:	Бактыбаев А. А.
団体著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
その他の著者:	Туранов С. Б. Сергей Борисович (научный руководитель), Прудаев И. А.
要約:	Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
言語:	ロシア語
出版事項:	2016
シリーズ:	Оптические технологии
主題:	труды учёных ТПУ электронные ресурсы гетероструктуры квантовые ямы светодиодные структуры электролюминесценция электрические поля
オンライン･アクセス:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806

インターネット

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486