Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников

ग्रंथसूची विवरण
Parent link:Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016): сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. А. Н. Яковлева. [С. 220].— , 2016
मुख्य लेखक: Бактыбаев А. А.
निगमित लेखक: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
अन्य लेखक: Туранов С. Б. Сергей Борисович (727), Прудаев И. А.
सारांश:Заглавие с титульного экрана
Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
प्रकाशित: 2016
श्रृंखला:Оптические технологии
विषय:
ऑनलाइन पहुंच:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
स्वरूप: इलेक्ट्रोनिक पुस्तक अध्याय
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 621806
005 20241002112651.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\20422 
035 |a RU\TPU\conf\20421 
090 |a 621806 
100 |a 20170119d2016 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 101zy 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников  |f А. А. Бактыбаев, С. Б. Туранов  |g науч. рук. И. А. Прудаев 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Оптические технологии 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 220 (2 назв.)] 
330 |a Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции. 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\20333  |t Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)  |o сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. А. Н. Яковлева  |v [С. 220]  |d 2016 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронные ресурсы 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a квантовые ямы 
610 1 |a светодиодные структуры 
610 1 |a электролюминесценция 
610 1 |a электрические поля 
700 1 |a Бактыбаев  |b А. А. 
701 1 |a Туранов  |b С. Б.  |c специалист в области светотехники  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1990-  |g Сергей Борисович  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31578  |9 15738 
702 1 |a Прудаев  |b И. А.  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170207  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486 
942 |c BK