Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)

מידע ביבליוגרפי
Parent link:	Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016).— 2016.— [С. 220]
מחבר ראשי:	Бактыбаев А. А.
מחבר תאגידי:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
מחברים אחרים:	Туранов С. Б. Сергей Борисович (научный руководитель), Прудаев И. А.
סיכום:	Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
שפה:	רוסית
יצא לאור:	2016
סדרה:	Оптические технологии
נושאים:	труды учёных ТПУ электронные ресурсы гетероструктуры квантовые ямы светодиодные структуры электролюминесценция электрические поля
גישה מקוונת:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
פורמט:	אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806

תיאור
סיכום:	Заглавие с титульного экрана Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.

פריטים דומים