Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников

Bibliographic Details
Parent link:Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016).— 2016.— [С. 220]
Main Author: Бактыбаев А. А.
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors: Туранов С. Б. Сергей Борисович (727), Прудаев И. А.
Summary:Заглавие с титульного экрана
Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
Language:Russian
Published: 2016
Series:Оптические технологии
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронные ресурсы
гетероструктуры
квантовые ямы
светодиодные структуры
электролюминесценция
электрические поля
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621806
Description
Summary:Заглавие с титульного экрана
Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.

Similar Items