The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Bibliografiske detaljer
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 438]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Andre forfattere: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Summary:Title screen
Sprog:engelsk
Udgivet: 2016
Fag:
Online adgang:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Format: Electronisk Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621442

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 621442
005 20240704063104.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\20037 
035 |a RU\TPU\conf\20034 
090 |a 621442 
100 |a 20161222d2016 k y0engy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a RU 
105 |a y z 101zy 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide  |f A. V. Kabyshev [et al.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Title screen 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\19513  |t Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)  |o International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia  |o abstracts  |f National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. B. M. Kovalchuk [et al.]  |v [P. 438]  |d 2016 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a ионное облучение 
610 1 |a карбид кремния 
610 1 |a проводимость 
610 1 |a оптическое поглощение 
610 1 |a локализованные состояния 
610 1 |a ионные пучки 
610 1 |a импульсные пучки 
610 1 |a ионная имплантация 
610 1 |a ion implantation 
610 1 |a high-intense pulsed ion beams 
610 1 |a localized states 
610 1 |a optical absorbtion 
610 1 |a conduction 
610 1 |a silicon carbide 
701 1 |a Kabyshev  |b A. V.  |c specialist in the field of electric power engineering  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences  |f 1958-  |g Alexander Vasilievich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32572 
701 1 |a Konusov  |b F. V.  |c physicist  |c Lead Engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1958-  |g Fedor Valerievich  |y Tomsk  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32570  |9 16491 
701 1 |a Pavlov  |b S. K.  |c physicist  |c Engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1990-  |g Sergey Konstantinovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32875 
701 1 |a Remnev  |b G. E.  |c physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1948-  |g Gennady Efimovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Энергетический институт (ЭНИН)  |b Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18676 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Лаборатория № 1  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161230  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902 
942 |c BK