The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide

Bibliographic Details
Parent link:	Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 438]
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Other Authors:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Summary:	Title screen
Language:	English
Published:	2016
Subjects:	труды учёных ТПУ электронный ресурс ионное облучение карбид кремния проводимость оптическое поглощение локализованные состояния ионные пучки импульсные пучки ионная имплантация ion implantation high-intense pulsed ion beams localized states optical absorbtion conduction silicon carbide
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621442

Internet