The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Бібліографічні деталі
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 438]
Співавтори: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Інші автори: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Резюме:Title screen
Мова:Англійська
Опубліковано: 2016
Предмети:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
ионное облучение
карбид кремния
проводимость
оптическое поглощение
локализованные состояния
ионные пучки
импульсные пучки
ионная имплантация
ion implantation
high-intense pulsed ion beams
localized states
optical absorbtion
conduction
silicon carbide
Онлайн доступ:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Формат: Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621442
Опис
Резюме:Title screen

Схожі ресурси