The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide

Podrobná bibliografie
Parent link:	Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 438]
Korporace:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Další autoři:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Shrnutí:	Title screen
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	2016
Témata:	труды учёных ТПУ электронный ресурс ионное облучение карбид кремния проводимость оптическое поглощение локализованные состояния ионные пучки импульсные пучки ионная имплантация ion implantation high-intense pulsed ion beams localized states optical absorbtion conduction silicon carbide
On-line přístup:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621442

Popis
Shrnutí:	Title screen

Podobné jednotky