Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016): International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia/ National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. B. M. Kovalchuk [et al.]. [P. 379].— , 2016
مؤلف مشترك:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
مؤلفون آخرون:	Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
الملخص:	Title screen
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	2016
الموضوعات:	труды учёных ТПУ электронный ресурс диагностика гетероструктуры электронные пучки катодолюминесценция фотолюминесценция luminescent diagnostics LED heterostructures InGaN/GaN high-current electron beam cathodoluminescence photoluminescence
الوصول للمادة أونلاين:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
التنسيق:	الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415

مواد مشابهة

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
حسب: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2013)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
منشور في: (2018)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire
حسب: Li Zixuan
منشور في: (2023)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
منشور في: (2021)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2014)

Luminescence of LiF crystals doped with uranium
منشور في: (2016)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering
منشور في: (2021)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2019)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2019)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения
منشور في: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
حسب: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
منشور في: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
حسب: Цзысюань Ли
منشور في: (2023)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2013)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
حسب: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
منشور في: (2014)

Spectral characteristics of the luminescence of industrial yag phosphors
حسب: Vaganov V. A. Vitalii Andreevich
منشور في: (2016)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio
منشور في: (2024)

The Effect of Fast Kr Ion Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, and Raman Spectra of BaFBr Crystals
منشور في: (2023)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

The effect of chromium concentration on luminescent properties of alkali-alumina-borate glass-ceramics
منشور في: (2019)

Nanodefects in YAG:Ce-Based Phosphor Microcrystals
منشور في: (2019)

Features of the Luminescence Spectra of ZnSe · O Crystals in Band Anticrossing Theory
حسب: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
منشور في: (2022)

Intrinsic luminescence of CaF2 crystals under simultaneous excitation of pulsed accelerated electrons and stimulated emission of semiconductor CdSSe
منشور في: (2020)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
حسب: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
منشور في: (2015)

Radio, cathodo and photoluminescence investigations of high density WO3-Gd2O3-B2O3 glass doped with Tb3+
منشور في: (2019)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
منشور في: (1998)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
حسب: Кабышев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2010)

Photo and cathodoluminescence of commercial YAG:Ce based phosphors in UV region
منشور في: (2020)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
حسب: Чижевич Л. А.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1974)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
منشور في: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
حسب: Нишизава Дж.-И.
منشور في: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
حسب: Синягина М. А.
منشور في: (2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
منشور في: (2003)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
حسب: Томашевич А. А.
منشور في: (2017)