Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 379]
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Weitere Verfasser:	Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
Zusammenfassung:	Title screen
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2016
Schlagworte:	труды учёных ТПУ электронный ресурс диагностика гетероструктуры электронные пучки катодолюминесценция фотолюминесценция luminescent diagnostics LED heterostructures InGaN/GaN high-current electron beam cathodoluminescence photoluminescence
Online-Zugang:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
Format:	MixedMaterials Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415

Ähnliche Einträge

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
von: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Veröffentlicht: (2018)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2013)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)

Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire; Russian Physics Journal; Vol. 65, iss. 11
von: Li Zixuan
Veröffentlicht: (2023)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2015)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2014)

Luminescence of LiF crystals doped with uranium; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Veröffentlicht: (2016)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Veröffentlicht: (2021)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2019)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
Veröffentlicht: (2019)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2019)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
von: Цзысюань Ли
Veröffentlicht: (2023)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
von: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Veröffentlicht: (2012)

Spectral characteristics of the luminescence of industrial yag phosphors; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
von: Vaganov V. A. Vitalii Andreevich
Veröffentlicht: (2016)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
von: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Veröffentlicht: (2014)

The Effect of Fast Kr Ion Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, and Raman Spectra of BaFBr Crystals; Crystals; Vol. 13, iss. 6
Veröffentlicht: (2023)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
Veröffentlicht: (2024)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2016)

Nanodefects in YAG:Ce-Based Phosphor Microcrystals; Crystals; Vol. 9, iss. 9
Veröffentlicht: (2019)

The effect of chromium concentration on luminescent properties of alkali-alumina-borate glass-ceramics; Journal of Non-Crystalline Solids; Vol. 521
Veröffentlicht: (2019)

Intrinsic luminescence of CaF2 crystals under simultaneous excitation of pulsed accelerated electrons and stimulated emission of semiconductor CdSSe; Radiation Physics and Chemistry; Vol. 168
Veröffentlicht: (2020)

Features of the Luminescence Spectra of ZnSe · O Crystals in Band Anticrossing Theory; Semiconductors; Vol. 55, iss. 5
von: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Veröffentlicht: (2022)

Radio, cathodo and photoluminescence investigations of high density WO3-Gd2O3-B2O3 glass doped with Tb3+; Radiation Physics and Chemistry; Vol. 164
Veröffentlicht: (2019)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)

Photo and cathodoluminescence of commercial YAG:Ce based phosphors in UV region; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 478
Veröffentlicht: (2020)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
von: Чижевич Л. А.
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1974)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
von: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Veröffentlicht: (2015)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Veröffentlicht: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Veröffentlicht: (1998)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Veröffentlicht: (2007)