• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Luminescent diagnostics of led...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

Bibliographic Details
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016): International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia/ National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. B. M. Kovalchuk [et al.]. [P. 379].— , 2016
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
Summary:Title screen
Published: 2016
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
диагностика
гетероструктуры
электронные пучки
катодолюминесценция
фотолюминесценция
luminescent diagnostics
LED heterostructures
InGaN/GaN
high-current electron beam
cathodoluminescence
photoluminescence
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874

Similar Items

  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
    by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Published: (Новосибирск, 2025)
  • Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
    Published: (2018)
  • Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
    by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
    Published: (2013)
  • Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
    by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
    Published: (2012)
  • Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire
    by: Li Zixuan
    Published: (2023)