• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Luminescent diagnostics of led...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN

Dades bibliogràfiques
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016): International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia/ National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. B. M. Kovalchuk [et al.]. [P. 379].— , 2016
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altres autors: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
Sumari:Title screen
Publicat: 2016
Matèries:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
диагностика
гетероструктуры
электронные пучки
катодолюминесценция
фотолюминесценция
luminescent diagnostics
LED heterostructures
InGaN/GaN
high-current electron beam
cathodoluminescence
photoluminescence
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874

Ítems similars

  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
    per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Publicat: (Новосибирск, 2025)
  • Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
    Publicat: (2018)
  • Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
    per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
    Publicat: (2013)
  • Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
    per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
    Publicat: (2012)
  • Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
    Publicat: (2021)