• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Luminescent diagnostics of led...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Бібліографічні деталі
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 379]
Співавтор: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Інші автори: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
Резюме:Title screen
Мова:Англійська
Опубліковано: 2016
Предмети:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
диагностика
гетероструктуры
электронные пучки
катодолюминесценция
фотолюминесценция
luminescent diagnostics
LED heterostructures
InGaN/GaN
high-current electron beam
cathodoluminescence
photoluminescence
Онлайн доступ:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
Формат: Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд

Інтернет

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874

Схожі ресурси

  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
    за авторством: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Опубліковано: (Новосибирск, 2025)
  • Luminescence of LiF crystals doped with uranium; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
    Опубліковано: (2016)
  • Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
    Опубліковано: (2018)
  • Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
    за авторством: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
    Опубліковано: (2013)
  • Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
    за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
    Опубліковано: (2012)