• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Luminescent diagnostics of led...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)

Dettagli Bibliografici
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016).— 2016.— [P. 379]
Ente Autore: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altri autori: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Sysoeva S. G. Svetlana, Sychova A. V. Anna, Li Zixuan
Riassunto:Title screen
Lingua:inglese
Pubblicazione: 2016
Soggetti:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
диагностика
гетероструктуры
электронные пучки
катодолюминесценция
фотолюминесценция
luminescent diagnostics
LED heterostructures
InGaN/GaN
high-current electron beam
cathodoluminescence
photoluminescence
Accesso online:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35874
Natura: Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=621415
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21
Descrizione
Riassunto:Title screen

Documenti analoghi

  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
    di: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)
  • Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
    Pubblicazione: (2018)
  • Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
    di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
    Pubblicazione: (2013)
  • Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
    di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
    Pubblicazione: (2012)
  • Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
    Pubblicazione: (2021)