Исследование воздействия реактивного ионного и плазмохимического травления на морфологию поверхности алмазных покрытий; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2016
Т. 1 : Физика.— 2016.— [С. 205-207]
Κύριος συγγραφέας: Охотников В. В. Виталий Владимирович
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Άλλοι συγγραφείς: Линник С. А. Степан Андреевич (научный руководитель), Гайдайчук А. В. Александр Валерьевич
Περίληψη:Заглавие с титульного экрана
The effect of treatment by reactive ion etching in an argon atmosphere, and hydrogen plasma etching ina glow discharge plasma on the surface of the diamond films deposited by CVD method was investigated. Basedon the results of the research, changes in the surface morphology of the coatings and phase composition was analyzed, the processes occurring in the processing was researched.
Γλώσσα:Ρωσικά
Έκδοση: 2016
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26019
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=618120

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 618120
005 20260908162848.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\16501 
035 |a RU\TPU\conf\16500 
090 |a 618120 
100 |a 20160523d2016 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Исследование воздействия реактивного ионного и плазмохимического травления на морфологию поверхности алмазных покрытий  |d The research of reactive ion and plasma-chemical etching effect on a diamond coatings surface morphology  |f В. В. Охотников, С. А. Линник, А. В. Гайдайчук  |g науч. рук. С. А. Линник 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 207 (7 назв.)] 
330 |a The effect of treatment by reactive ion etching in an argon atmosphere, and hydrogen plasma etching ina glow discharge plasma on the surface of the diamond films deposited by CVD method was investigated. Basedon the results of the research, changes in the surface morphology of the coatings and phase composition was analyzed, the processes occurring in the processing was researched. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\16353  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of Fundamental Sciences Development  |o сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г.   |o в 7 т.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой  |d 2016 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\16354  |t Т. 1 : Физика  |v [С. 205-207]  |d 2016 
510 1 |a The research of reactive ion and plasma-chemical etching effect on a diamond coatings surface morphology  |z eng 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a алмазные покрытия 
610 1 |a полупроводниковая электроника 
610 1 |a теплопроводность 
610 1 |a оптические элементы 
610 1 |a плазмохимическое травление 
700 1 |a Охотников  |b В. В.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1992-  |g Виталий Владимирович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36430 
701 1 |a Линник  |b С. А.  |c физик  |c инженер-исследователь Томского политехнического университета  |f 1985-  |g Степан Андреевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28210  |9 13164 
701 1 |a Гайдайчук  |b А. В.  |c российский физик  |c аспирант, инженер-исследователь Томского политехнического университета  |f 1984-  |g Александр Валерьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28207  |9 13161 
702 1 |a Линник  |b С. А.  |c физик  |c инженер-исследователь Томского политехнического университета  |f 1985-  |g Степан Андреевич  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Лаборатория № 1  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160628  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26019 
942 |c BK