Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора

Bibliographic Details
Parent link:Молодежь и современные информационные технологии: сборник трудов XIII Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 9-13 ноября 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт кибернетики (ИК) ; под ред. Т. Е. Мамоновой [и др.].— , 2016
Т. 1.— 2016.— [С. 81-82]
Main Author: Багутдинов Р. А. Равиль Анатольевич
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт кибернетики (ИК) Кафедра инженерной графики и промышленного дизайна (ИГПД)
Other Authors: Захарова А. А. Алена Александровна (727)
Summary:Заглавие с титульного экрана
Language:Russian
Published: 2016
Series:Математическое моделирование и компьютерный анализ данных
Subjects:
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=617540