Распределение примесных ионов в поверхностных слоях диэлектриков, модифицированных ионными пучками; Перспективы развития фундаментальных наук
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук.— 2015.— [С. 206-208] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| সংস্থা লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана The results of studies of impurity ions distribution in surface layers of dielectric modified by ion beams are presented. Depth profiles were measured by secondary ion mass spectrometry method. Computer simulations of the expected ion depth profile were carried out using the TRIM program. The alumina ceramic implanted with Ti ions at energy 50 keV and zirconium ceramic implanted with Al ions at energy 78 keV were investigated in our work. |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2015
|
| মালা: | Физика |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19147 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/058.pdf |
| বিন্যাস: | MixedMaterials বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612960 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 612960 | ||
| 005 | 20231101132731.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\11091 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\11090 | ||
| 090 | |a 612960 | ||
| 100 | |a 20150702d2015 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a z 101zy | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Распределение примесных ионов в поверхностных слоях диэлектриков, модифицированных ионными пучками |d Depth profiles of impurity ions in the surface layers of dielectrics modified by ion beams |f А. А. Перминов, А. В. Чернявский |g науч. рук. А. В. Чернявский | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл(577 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Физика | |
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл: 577 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 208 (6 назв.)] | ||
| 330 | |a The results of studies of impurity ions distribution in surface layers of dielectric modified by ion beams are presented. Depth profiles were measured by secondary ion mass spectrometry method. Computer simulations of the expected ion depth profile were carried out using the TRIM program. The alumina ceramic implanted with Ti ions at energy 50 keV and zirconium ceramic implanted with Al ions at energy 78 keV were investigated in our work. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\10376 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of fundamental sciences development |o сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова |v [С. 206-208] |d 2015 | |
| 510 | 1 | |a Depth profiles of impurity ions in the surface layers of dielectrics modified by ion beams |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a примесные ионы | |
| 610 | 1 | |a поверхностные слои | |
| 610 | 1 | |a диэлектрики | |
| 610 | 1 | |a ионные пучки | |
| 700 | 1 | |a Перминов |b А. А. | |
| 701 | 1 | |a Чернявский |b А. В. |c специалист в области электроники |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1966- |g Александр Викторович |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26556 | |
| 702 | 1 | |a Чернявский |b А. В. |c специалист в области электроники |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1966- |g Александр Викторович |2 stltpush |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт неразрушающего контроля (ИНК) |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) |h 194 |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20101016 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20210128 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19147 | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/058.pdf | |
| 942 | |c BK | ||