Распределение примесных ионов в поверхностных слоях диэлектриков, модифицированных ионными пучками

Bibliographic Details
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Томский государственный архитектурно-строительный университет (ТГАСУ) ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) ; ред. кол. И. А. Курзина ; Г. А. Воронова ; С. А. Поробова. [С. 206-208].— , 2015
Main Author: Перминов А. А.
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
Other Authors: Чернявский А. В. Александр Викторович (727)
Summary:Заглавие с экрана
The results of studies of impurity ions distribution in surface layers of dielectric modified by ion beams are presented. Depth profiles were measured by secondary ion mass spectrometry method. Computer simulations of the expected ion depth profile were carried out using the TRIM program. The alumina ceramic implanted with Ti ions at energy 50 keV and zirconium ceramic implanted with Al ions at energy 78 keV were investigated in our work.
Published: 2015
Series:Физика
Subjects:
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19147
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C21/058.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612960