• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Исследование морфологии тонкоп...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Исследование морфологии тонкопленочного гетероперехода p-SnS/n-ZnO

Исследование морфологии тонкопленочного гетероперехода p-SnS/n-ZnO

Bibliographic Details
Parent link:Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых.— 2015.— [С. 170-174]
Main Author: Дронова М. В.
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 12
Other Authors: Ан В. В. Владимир Вилорьевич (727)
Summary:Заглавие с титульного экрана
Language:Russian
Published: 2015
Series:Нанотехнологии и пучково-плазменные технологии создания материалов с заданными свойствами
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
морфология
тонкопленочные гетеропереходы
гетеропереходы
магнетронное распыление
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19394
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C08/050.pdf
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=612313
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19394
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2015/C08/050.pdf

Similar Items

  • Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления
    by: Ан В. В. Владимир Вилорьевич
    Published: (2016)
  • Исследования тонких пленок Cu2S, предназначенных для получения P-Cu2S/N-ZnO гетеропереходов фотовольтаического назначения
    by: Шлома Ю. П.
    Published: (2014)
  • Осаждение тонкопленочного люминесцентного покрытия состава Y3Al5O12:Ce методом магнетронного распыления
    by: Рунц А. А.
    Published: (2022)
  • Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника [сборник]
    Published: (Ташкент, Фан, 1972)
  • Ч. 2
    Published: (1986)