Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
| Parent link: | Современные техника и технологии: сборник трудов XX международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 14-18 апреля 2014 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2014 Т. 2.— 2014.— [С. 103-104] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| সংস্থা লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | , , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с титульного экрана |
| প্রকাশিত: |
2014
|
| মালা: | Материаловедение |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C01/V2/050.pdf |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=606808 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Сычева А. В.
প্রকাশিত: (2014)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов NaF:U6+
অনুযায়ী: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
প্রকাশিত: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
অনুযায়ী: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1974)
অনুযায়ী: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1974)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1979)
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1979)
Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
অনুযায়ী: Батавин В. В. Виталий Васильевич
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1976)
অনুযায়ী: Батавин В. В. Виталий Васильевич
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1976)
Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd)
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
অনুযায়ী: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
অনুযায়ী: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
প্রকাশিত: (2018)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов CsI:Eu2+
অনুযায়ী: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
প্রকাশিত: (2012)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
অনুযায়ী: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
প্রকাশিত: (Ленинград, Наука, 1978)
অনুযায়ী: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
প্রকাশিত: (Ленинград, Наука, 1978)
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
অনুযায়ী: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
প্রকাশিত: (Нальчик, 2013)
অনুযায়ী: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
প্রকাশিত: (Нальчик, 2013)
Формирование нанопроводов оксида цинка на подложках с развитой поверхностью для газочувствительных слоёв
অনুযায়ী: Иванова А. А.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Иванова А. А.
প্রকাশিত: (2018)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
অনুযায়ী: Чижевич Л. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1974)
অনুযায়ী: Чижевич Л. А.
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1974)
Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
প্রকাশিত: (Томск, 1989)
প্রকাশিত: (Томск, 1989)
Изготовление слоев изотопически чистых актиноидных элементов на различных подложках методом ионной имплантации
প্রকাশিত: (2017)
প্রকাশিত: (2017)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
প্রকাশিত: (2017)
প্রকাশিত: (2017)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
অনুযায়ী: Папков В. С. Владимир Сергеевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1979)
অনুযায়ী: Папков В. С. Владимир Сергеевич
প্রকাশিত: (Москва, Энергия, 1979)
Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами диспрозия переменной концентрации
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2022)
Испарение капель воды на медных подложках
অনুযায়ী: Батищева К. А. Ксения Артуровна
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Батищева К. А. Ксения Артуровна
প্রকাশিত: (2015)
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1989)
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1989)
Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами редкоземельных элементов
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2021)
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2021)
Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами европия переменной концентрации
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2022)
অনুযায়ী: Линь Чаолу
প্রকাশিত: (2022)
Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
অনুযায়ী: Гурская А. А.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Гурская А. А.
প্রকাশিত: (2004)
Режимы испарения капли воды на медных подложках
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
অনুযায়ী: Дубровский В. Г. Владимир Германович
প্রকাশিত: (Москва, Физматлит, 2009)
অনুযায়ী: Дубровский В. Г. Владимир Германович
প্রকাশিত: (Москва, Физматлит, 2009)