Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2

Bibliografiska uppgifter
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XX международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 14-18 апреля 2014 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2014 Т. 2.— 2014.— [С. 103-104]
Huvudupphovsman:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Institutionell upphovsman:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Övriga upphovsmän:	Ли Цзысюань (научный руководитель), Сычева А. В., Олешко В. И. Владимир Иванович
Sammanfattning:	Заглавие с титульного экрана
Språk:	ryska
Publicerad:	2014
Serie:	Материаловедение
Ämnen:	труды учёных ТПУ электронный ресурс люминесцентная спектроскопия эпитаксиальные слои подложки нитриды оптоэлектронные устройства
Länkar:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C01/V2/050.pdf
Materialtyp:	Elektronisk Bokavsnitt
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=606808

Liknande verk

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
av: Сычева А. В.
Publicerad: (2014)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicerad: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
av: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicerad: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
av: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicerad: (Новосибирск, 2025)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
av: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicerad: (Москва, Энергия, 1974)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicerad: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
av: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicerad: (Томск, [Б. и.], 2017)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов NaF:U6+; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9, ч. 3
av: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
Publicerad: (2014)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
av: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicerad: (Новосибирск, Наука, 1978)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
av: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Publicerad: (Москва, Советское радио, 1976)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
av: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Publicerad: (Ташкент, Фан, 1979)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
av: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicerad: (2024)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Publicerad: (2004)

Люминесцентная и цветная дефектоскопия
av: Карякин А. В. Аркадий Васильевич
Publicerad: (Москва, Машиностроение, 1972)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
av: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicerad: (Томск, 2017)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
av: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicerad: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
av: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicerad: (Томск, 2018)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
av: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicerad: (2015)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
av: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicerad: (2018)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
av: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicerad: (Нальчик, 2013)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
av: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicerad: (Ленинград, Наука, 1978)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
av: Чижевич Л. А.
Publicerad: (Томск, [Б. и.], 1974)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
av: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publicerad: (Новосибирск, 2025)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Publicerad: (Томск, 1989)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
av: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Publicerad: (Москва, Энергия, 1979)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicerad: (2017)

Изготовление слоев изотопически чистых актиноидных элементов на различных подложках методом ионной имплантации; Изотопы: технологии, материалы и применение
Publicerad: (2017)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
av: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Publicerad: (Ташкент, Фан, 1989)

Формирование нанопроводов оксида цинка на подложках с развитой поверхностью для газочувствительных слоёв; Химия и химическая технология в XXI веке
av: Иванова А. А.
Publicerad: (2018)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
av: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Publicerad: (Москва, Физматлит, 2009)

Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами диспрозия переменной концентрации; Перспективные материалы конструкционного и функционального назначения
av: Линь Чаолу
Publicerad: (2022)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Publicerad: (2004)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
av: Гурская А. А.
Publicerad: (2004)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
av: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicerad: (2013)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
av: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Publicerad: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами европия переменной концентрации; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
av: Линь Чаолу
Publicerad: (2022)

Люминесцентная керамика на основе MgAl2O4, активированная ионами редкоземельных элементов; Научная инициатива иностранных студентов и аспирантов; Т. 1
av: Линь Чаолу
Publicerad: (2021)

Режимы испарения капли воды на медных подложках; Коллоидный журнал; Т. 78, № 3
Publicerad: (2016)

Испарение капель воды на медных подложках; Неделя науки СПбПУ; Ч. 1
av: Батищева К. А. Ксения Артуровна
Publicerad: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
av: Ли Цзысюань
Publicerad: (2017)