Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3

Bibliographic Details
Parent link:	Современные техника и технологии: сборник трудов XX международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 14-18 апреля 2014 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2014 Т. 2.— 2014.— [С. 103-104]
Main Author:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Ли Цзысюань (727), Сычева А. В., Олешко В. И. Владимир Иванович
Summary:	Заглавие с титульного экрана
Published:	2014
Series:	Материаловедение
Subjects:	труды учёных ТПУ электронный ресурс люминесцентная спектроскопия эпитаксиальные слои подложки нитриды оптоэлектронные устройства
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767 http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C01/V2/050.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=606808

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767
http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2014/C01/V2/050.pdf