Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск

Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958- Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск.— 2014.— Р. 62-65
Enti autori:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)
Altri autori:	Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Gorina S. G., Lazarev S. V., Lopatin V. V. Vladimir Vasilyevich
Riassunto:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	2014
Soggetti:	труды учёных ТПУ
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=602052

Documenti analoghi

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Pubblicazione: (2016)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Pubblicazione: (2019)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Pubblicazione: (2022)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
di: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
di: Narita, Tetsuo
Pubblicazione: (2020)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Pubblicazione: (2013)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
di: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Pubblicazione: (2003)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2008)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Pubblicazione: (2017)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
di: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Pubblicazione: (2012)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
di: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Pubblicazione: (2012)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2009)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2007)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
di: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Pubblicazione: (2008)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
di: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Pubblicazione: (2006)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
di: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Pubblicazione: (2015)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Pubblicazione: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Pubblicazione: (2017)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
di: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Pubblicazione: (2009)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2015)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Pubblicazione: (2015)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Pubblicazione: (2011)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
di: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Pubblicazione: (2006)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2005)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
di: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Pubblicazione: (2018)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
di: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Pubblicazione: (2003)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
di: Ерофеев Е. В.
Pubblicazione: (2017)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
di: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Pubblicazione: (2001)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Pubblicazione: (2017)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
di: Томашевич А. А.
Pubblicazione: (2017)

The Impact of the Dislocation Density, Lattice and Impurity Friction on the Dynamics of Expansion of a Dislocation Loop in FCC Metals; Key Engineering Materials; Vol. 712 : Advanced Materials for Technical and Medical Purpose (AMTMP 2016)
Pubblicazione: (2016)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Pubblicazione: (2012)

Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire; Russian Physics Journal; Vol. 65, iss. 11
di: Li Zixuan
Pubblicazione: (2023)