Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск

Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика/ Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958-
Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск.— 2014.— Р. 62-65
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)
Other Authors: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Gorina S. G., Lazarev S. V., Lopatin V. V. Vladimir Vasilyevich
Summary:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Language:English
Published: 2014
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=602052

Similar Items